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檢測設備傳感器的原理(二)
日期:2024-07-31 05:57
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摘要:
檢測設備傳感器的原理(二)
◆*大工作電壓:一般幾十伏至上百伏。
◆環(huán)境溫度:一般 -25 ℃至 +55 ℃,有的型號可以 -40 ℃至 +70 ℃。
◆額定功率(功耗):光敏電阻的亮電流與外電壓乘積;可有 5mW 至 300mW 多種規格選擇。
◆光敏電阻的主要參數還有響應時(shí)間、靈敏度、光譜響應、光照特性、溫度系數、伏安特性等。
值得注意的是,光照特性(隨光照強度變化的特性)、溫度系數(隨溫度變化的特性)、伏安特性不是線(xiàn)性的,如以 CdS (硫化鎘)光敏電阻的光阻有時(shí)隨溫度的增加而增大,有時(shí)隨溫度的增加又變小...
檢測設備傳感器的原理(二)
◆*大工作電壓:一般幾十伏至上百伏。◆環(huán)境溫度:一般 -25 ℃至 +55 ℃,有的型號可以 -40 ℃至 +70 ℃。
◆額定功率(功耗):光敏電阻的亮電流與外電壓乘積;可有 5mW 至 300mW 多種規格選擇。
◆光敏電阻的主要參數還有響應時(shí)間、靈敏度、光譜響應、光照特性、溫度系數、伏安特性等。
值得注意的是,光照特性(隨光照強度變化的特性)、溫度系數(隨溫度變化的特性)、伏安特性不是線(xiàn)性的,如以 CdS (硫化鎘)光敏電阻的光阻有時(shí)隨溫度的增加而增大,有時(shí)隨溫度的增加又變小。
硫化鎘光敏電阻器的參數:
型號規格 MG41-22 MG42-16 MG44-02 MG45-52
環(huán)境溫度(℃) -40 ~ +60 -25 ~ +55 -40 ~ +70 -40 ~ +70
額定功率( mW ) 20 10 5 200
亮阻, 100lx ( k Ω) ≤ 2 ≤ 50 ≤ 2 ≤ 2
暗阻, 0lx ( M Ω) ≥ 1 ≥ 10 ≥ 0.2 ≥ 1
響應時(shí)間 ( ms ) ≤ 20 ≤ 20 ≤ 20 ≤ 20
*高工作電壓( v ) 100 50 20 250
2 光電二極管
和普通二極管相比,除它的管芯也是一個(gè) PN 結、具有單向導電性能外,其他均差異很大。首先管芯內的 PN 結結深比較淺(小于 1 微米),以提高光電轉換能力;** PN 結面積比較大,電極面積則很小,以有利于光敏面多收集光線(xiàn);第三光電二極管在外觀(guān)上都有一個(gè)用有機玻璃透鏡密封、能匯聚光線(xiàn)于光敏面的“窗口”;所以光電二極管的靈敏度和響應時(shí)間遠遠優(yōu)于光敏電阻。
常見(jiàn)的幾種光電二極管及符號如下:
2DU 有前極、后極、環(huán)極三個(gè)極。其中環(huán)極是為了減小光電二極管的暗電流和增加工作穩定性而設計增加的,應用時(shí)需要接電源正極。
光電二極管的主要參數有:*高工作電壓( 10 ~ 50V ) , 暗電流(≤ 0.05 ~ 1 微安),光電流(> 6 ~ 80 微安),光電靈敏度、響應時(shí)間(幾十 ns ~幾十μ s )、結電容和正向壓降等。
光電二極管的優(yōu)點(diǎn) : 線(xiàn)性好,響應速度快,對寬范圍波長(cháng)的光具有較高的靈敏度,噪聲低;缺點(diǎn) : 單獨使用輸出電流(或電壓)很小,需要加放大電路。適用于通訊及光電控制等電路。
光電二極管的檢測可用萬(wàn)用表 R × 1K 擋,避光測正向電阻應 10K Ω~ 200 K Ω,反向應,去掉遮光物后向右偏轉角越大,靈敏度越高。
光電三極管可以視為一個(gè)光電二極管和一個(gè)三極管的組合元件,由于具有放大功能,所以其暗電流、光電流和光電靈敏度比光電二極管要高得多,但結構原因使結電容加大,響應特性變壞。廣泛應用于低頻的光電控制電路。
半導體光電器件還有 MOS 結構,如掃描儀、攝象頭中常用的 CCD (電荷耦合器件)就是集成的光電二極管或 MOS 結構的陣列。
三 氣敏傳感器及氣敏元件
教材僅要求簡(jiǎn)單的熱敏電阻和光敏電阻特性實(shí)驗。由于氣體與人類(lèi)的日常生活密切相關(guān),對氣體的檢測已經(jīng)是保護和改善生態(tài)居住環(huán)境不可缺少手段,氣敏傳感器發(fā)揮著(zhù)極其重要的作用。
例如生活環(huán)境中的一氧化碳濃度達 0.8 ~ 1.15 ml/L 時(shí),就會(huì )出現呼吸急促,脈搏加快,甚至暈厥等狀態(tài),達 1.84ml/L 時(shí)則有在幾分鐘內死亡的危險,因此對一氧化碳檢測必須快而準。
利用 SnO2 金屬氧化物半導體氣敏材料,通過(guò)顆粒超微細化和摻雜工藝制備 SnO2 納米顆粒,并以此為基體摻雜一定催化劑,經(jīng)適當燒結工藝進(jìn)行表面修飾,制成旁熱式燒結型 CO 敏感元件,能夠探測 0.005% ~ 0.5% 范圍的 CO 氣體。
還有許多易爆可燃氣體、酒精氣體、汽車(chē)尾氣等有毒氣體的進(jìn)行探測的傳感器。常用的主要有接觸燃燒式氣體傳感器、電化學(xué)氣敏傳感器和半導體氣敏傳感器等。
接觸燃燒式氣體傳感器 的檢測元件一般為鉑金屬絲(也可表面涂鉑、鈀等稀有金屬催化層),使用時(shí)對鉑絲通以電流,保持 300 ℃~ 400 ℃的高溫,此時(shí)若與可燃性氣體接觸,可燃性氣體就會(huì )在稀有金屬催化層上燃燒,因此鉑絲的溫度會(huì )上升,鉑絲的電阻值也上升;通過(guò)測量鉑絲的電阻值變化的大小,就知道可燃性氣體的濃度。
電化學(xué)氣敏傳感器 一般利用液體(或固體、有機凝膠等)電解質(zhì),其輸出形式可以是氣體直接氧化或還原產(chǎn)生的電流,也可以是離子作用于離子電極產(chǎn)生的電動(dòng)勢。
半導體氣敏傳感器 具有靈敏度高、響應快、穩定性好、使用簡(jiǎn)單的特點(diǎn),應用極其廣泛;下面重點(diǎn)介紹半導體氣敏傳感器及其氣敏元件
半導體氣敏元件有 N 型和 P 型之分。 N 型在檢測時(shí)阻值隨氣體濃度的增大而減??; P 型阻值隨氣體濃度的增大而增大。
像 SnO2 金屬氧化物半導體氣敏材料,屬于 N 型半導體,在 200 ~ 300 ℃溫度它吸附空氣中的氧,形成氧的負離子吸附,使半導體中的電子密度減少,從而使其電阻值增加。當遇到有能供給電子的可燃氣體(如 CO 等)時(shí),原來(lái)吸附的氧脫附,而由可燃氣體以正離子狀態(tài)吸附在金屬氧化物半導體表面;氧脫附放出電子,可燃**體以正離子狀態(tài)吸附也要放出電子,從而使氧化物半導體導帶電子密度增加,電阻值下降??扇夹詺怏w不存在了,金屬氧化物半導體又會(huì )自動(dòng)恢復氧的負離子吸附,使電阻值升高到初始狀態(tài)。這就是半導體氣敏元件檢測可燃氣體的基本原理。
目前國產(chǎn)的氣敏元件有 2 種。一種是直熱式,加熱絲和測量電極一同燒結在金屬氧化物半導體管芯內;旁熱式氣敏元件以陶瓷管為基底,管內穿加熱絲,管外側有兩個(gè)測量極,測量極之間為金屬氧化物氣敏材料,經(jīng)高溫燒結而成。
氣敏元件的參數主要有加熱電壓、電流,測量回路電壓,靈敏度,響應時(shí)間,恢復時(shí)間,標定氣體( 0.1% 丁烷氣體)中電壓,負載電阻值等。
QM-N5 型氣敏元件適用于天然氣、煤氣、氫氣、烷類(lèi)氣體、烯類(lèi)氣體、汽油、煤油、乙炔、氨氣、煙霧等的檢測,屬于 N 型半導體元件。靈敏度較高,穩定性較好,響應和恢復時(shí)間短,市場(chǎng)上應用廣泛。
QM-N5 氣敏元件參數如下:標定氣體( 0.1% 丁烷氣體,*佳工作條件)中電壓≥ 2V ,響應時(shí)間≤ 10S ,恢復時(shí)間≤ 30S ,*佳工作條件加熱電壓 5V 、測量回路電壓 10V 、負載電阻 RL 為 2K ,允許工作條件加熱電壓 4.5 ~ 5.5V 、測量回路電壓 5 ~ 15V 、負載電阻 0.5 ~ 2.2K 。常見(jiàn)的氣敏元件還有 MQ-31 (專(zhuān)用于檢測 CO ), QM-J1 酒敏元件等。
四 力敏傳感器和力敏元件
力敏傳感器的種類(lèi)甚多,傳統的測量方法是利用彈性材料的形變和位移來(lái)表示。隨著(zhù)微電子技術(shù)的發(fā)展,利用半導體材料的壓阻效應(即對其某一方向施加壓力,其電阻率就發(fā)生變化)和良好的彈性,已經(jīng)研制出體積小、重量輕、靈敏度高的力敏傳感器,廣泛用于壓力、加速度等物理力學(xué)量的測量。
五 磁敏傳感器和磁敏元件
目前磁敏元件有霍爾器件(基于霍爾效應)、磁阻器件(基于磁阻效應:外加磁場(chǎng)使半導體的電阻隨磁場(chǎng)的增大而增加。)、磁敏二極管和三極管等。以磁敏元件為基礎的磁敏傳感器在一些電、磁學(xué)量和力學(xué)量的測量中廣泛應用。
在一定意義上傳感器與人的感官有對應的關(guān)系,其感知能力已遠超過(guò)人的感官。例如利用目標自身紅外輻射進(jìn)行觀(guān)察的紅外成像系統(夜像儀),黑夜中可 1000 米發(fā)現人, 2000 米發(fā)現車(chē)輛;熱像儀的核心部件是紅外傳感器。
1991 年海灣戰爭中,伊拉克的坦克配置的夜視儀探測距離僅 800 米,還不及美英聯(lián)軍的一半,黑暗中被打得慘敗是必然的。目前世界各國都將傳感器技術(shù)列為優(yōu)先發(fā)展的高新技術(shù)的重點(diǎn)。為了大幅度提供傳感器的性能,將不斷采用新結構、新材料和新工藝,向小型化、集成化和智能的方向發(fā)展。
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